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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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IPP100P03P3L-04-VB一款TO220封裝P-Channel場效應MOS管

型號: IPP100P03P3L-04-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO220
  • Configurat Single-P-Channel
  • VDS -30V
  • VGS 20(±V)
  • Vth -3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID -100A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 一、IPP100P03P3L-04-VB 產品簡介
IPP100P03P3L-04-VB 是一款高性能單P溝道MOSFET,采用 TO220 封裝,專為需要高電流和低導通電阻的應用設計。該器件的漏源電壓為 -30V,能夠處理高達 -100A 的漏極電流。其顯著特點是具有極低的導通電阻,分別為 5mΩ 和 4mΩ(在 VGS = 4.5V 和 10V 時),并采用先進的 Trench(溝槽)技術制造,確保高效能量轉換和低功率損耗。

### 二、IPP100P03P3L-04-VB 詳細參數說明
- **封裝類型**: TO220
- **極性**: 單P溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: -30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 5mΩ(VGS = 4.5V),4mΩ(VGS = 10V)
- **最大漏極電流 (ID)**: -100A
- **技術**: Trench(溝槽)技術
- **最大功率耗散 (Ptot)**: 200W
- **工作溫度范圍**: -55°C 至 +175°C

### 三、應用領域及模塊舉例

1. **電源管理和轉換**  
  IPP100P03P3L-04-VB 由于其低導通電阻和高電流能力,非常適合用于電源管理系統,如高效率的開關電源 (SMPS) 和電源分配模塊。這種 MOSFET 能夠在高功率轉換過程中減少能量損耗,提高整體系統的效率。

2. **電機驅動與控制**  
  在電機控制應用中,特別是在需要高電流的直流電機驅動器中,IPP100P03P3L-04-VB 由于其高電流承載能力和低導通電阻,可以有效控制大電流,并減少熱損耗,提升驅動系統的穩定性和效率。

3. **汽車電子**  
  在汽車電子系統中,IPP100P03P3L-04-VB 可用于電池管理、逆變器和電動助力轉向系統等模塊。該 MOSFET 的高電流能力和低功率損耗特性使其適合用于汽車的高功率電子設備。

4. **逆變器和轉換器**  
  在光伏和風能逆變器中,IPP100P03P3L-04-VB 的高效率和低導通電阻使其成為理想選擇。這種 MOSFET 能夠有效地處理大電流,從而提高能量轉換效率并減少系統的功率損耗。

5. **不間斷電源 (UPS)**  
  在 UPS 系統中,IPP100P03P3L-04-VB 提供了穩定的電流處理能力和低導通電阻,有助于提升 UPS 的性能,確保在電力中斷時系統能夠快速切換并提供可靠的電力支持。

IPP100P03P3L-04-VB 的出色性能使其在多個高功率和高效能應用中表現出色,成為各種電力電子設備中的關鍵組件。

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