--- 產品參數 ---
- Package TO262
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 2V
- RDS(ON) 5.7mΩ@VGS=10V
- ID 75A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、IPI80N04S3-H4-VB 產品簡介:
IPI80N04S3-H4-VB 是一款高性能單N溝道功率MOSFET,封裝為TO262,專為高電流開關和電源管理應用設計。該MOSFET的漏源電壓(VDS)為60V,柵源電壓(VGS)為±20V,開啟閾值電壓(Vth)為2V。采用Trench技術,IPI80N04S3-H4-VB 具備極低的導通電阻(RDS(ON)),在VGS為10V時為5.7mΩ,并支持高達75A的漏極電流(ID)。這一設計使其在各種需要高效開關和高電流處理的應用中表現出色,適用于電源轉換、負載開關和直流電機控制等場合。
### 二、IPI80N04S3-H4-VB 詳細參數說明:
- **封裝類型**:TO262
- **配置**:單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**:60V
- **柵源電壓(VGS)**:±20V
- **開啟閾值電壓(Vth)**:2V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 5.7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流(ID)**:75A
- **技術類型**:Trench
- **工作溫度范圍**:-55°C 至 175°C
- **功耗**:依賴于具體散熱條件
- **封裝外形尺寸**:標準TO262封裝
### 三、應用領域和模塊舉例:
1. **電源管理**:
在電源管理系統中,IPI80N04S3-H4-VB 的低導通電阻和高電流處理能力使其特別適合用于DC-DC轉換器、AC-DC電源和不間斷電源(UPS)。其Trench技術確保了高效能的開關性能,優化電源效率,減少能量損失,尤其適合用于高功率電源模塊的高效轉換和管理。
2. **直流電機驅動**:
由于IPI80N04S3-H4-VB 具有75A的高電流承載能力和5.7mΩ的低導通電阻,它在直流電機驅動應用中表現優異。該器件能夠有效處理電機啟動和運行期間的大電流負載,適用于電動工具、電動汽車和工業機械中的電機控制,提高電機控制的效率和穩定性。
3. **負載開關**:
在負載開關應用中,IPI80N04S3-H4-VB 提供了高電流開關能力和低功耗,非常適合用于高電流負載的開關和保護電路。它能夠有效地處理電源中的各種負載情況,特別是在需要高電流開關的場合,如開關電源和負載保護系統,確保系統的安全性和可靠性。
4. **電池管理**:
IPI80N04S3-H4-VB 的高電流和低導通電阻特性使其在電池管理系統中表現出色,特別是在電動汽車和儲能系統中。它能夠有效地進行電池充放電管理、保護和電流調節,優化電池性能和系統的整體效能。
IPI80N04S3-H4-VB 的高性能特點和廣泛應用范圍,使其在功率轉換、電流控制和電機驅動等應用中表現出色,特別是在高效能和高電流負載需求的場合中提供可靠的解決方案。
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