国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

企業號介紹

全部
  • 全部
  • 產品
  • 方案
  • 文章
  • 資料
  • 企業

微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

1.6w 內容數 99w+ 瀏覽量 79 粉絲

BUK7619-100B-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號: BUK7619-100B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 100V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 1.8V
  • RDS(ON) 20mΩ@VGS=10V
  • ID 70A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品概述:BUK7619-100B-VB

BUK7619-100B-VB 是一款高性能的單極N溝MOSFET,采用TO263封裝,專為高電壓和高電流應用設計。該MOSFET具備100V的漏源電壓(V_DS)和20V(±V)的柵源電壓(V_GS),其閾值電壓(V_th)為1.8V,導通電阻(R_DS(on))為20mΩ @ V_GS = 10V,最大連續漏極電流(I_D)為70A。MOSFET采用Trench技術,提供卓越的開關性能和低導通損耗,適合高效能電源和電流控制應用。

### 詳細參數說明

- **漏源電壓 (V_DS):** 100V
 - 漏極和源極之間可以承受的最大電壓。

- **柵源電壓 (V_GS):** 20V(±V)
 - 柵極和源極之間可以施加的最大電壓。

- **閾值電壓 (V_th):** 1.8V
 - 開啟MOSFET所需的最小柵源電壓。

- **導通電阻 (R_DS(on)):** 20mΩ @ V_GS = 10V
 - 當MOSFET處于“開啟”狀態時,漏極和源極之間的電阻,測量柵源電壓為10V時的值。

- **連續漏極電流 (I_D):** 70A
 - 當設備得到適當散熱時,漏極端可以流過的最大連續電流。

- **封裝類型:** TO263
 - MOSFET的物理封裝,提供良好的散熱性能和機械強度。

- **配置:** 單極N溝
 - 表示該MOSFET具有單個N溝道用于導電。

- **技術:** Trench
 - 表示MOSFET采用Trench技術制造,提供優異的開關性能和低導通損耗。

### 應用示例

**1. 高功率電源轉換器:**
  - BUK7619-100B-VB MOSFET 可以用于高功率DC-DC轉換器和開關模式電源(SMPS)。其高電流處理能力和低導通電阻使其適合用于電源模塊,確保高效能和穩定的電源輸出。

**2. 電動機驅動:**
  - 在電動機驅動系統中,BUK7619-100B-VB 能夠處理高電流,并且提供低功耗特性,適用于電動汽車、電動工具和工業電動機驅動等應用。

**3. 逆變器:**
  - 該MOSFET 在逆變器應用中表現出色,特別是用于太陽能逆變器和風力發電逆變器。其高電流和低導通電阻特性有助于高效的能量轉換和電力調節。

**4. 電池管理系統:**
  - 在電池管理系統中,BUK7619-100B-VB 可以用作高效的電池開關,控制電池充電和放電路徑。其高電流處理能力和低功耗特性確保了電池管理的高效能和安全性。

**5. 汽車電子:**
  - 該MOSFET 適用于汽車電子應用,如電動轉向系統和電源分配系統。其高電流能力和低導通電阻確保了汽車電子系統的高效運行和耐用性。

通過將BUK7619-100B-VB MOSFET 應用于這些領域,設計師可以實現高效、可靠的性能,滿足高電流和低導通電阻的要求,使其成為現代電子系統中的理想選擇。

為你推薦

  • IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18

    在當今的電子設計與制造領域,供應鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關乎企業核心競爭力的關鍵因素。尋找一個性能相當、甚至更優,同時兼具供應穩定與成本優勢的國產替代器件,不再是簡單的備選方案,而是演進為一項至關重要的戰略決策。當我們聚焦于應用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時,微碧半導體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它
    494瀏覽量
  • VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12

    在追求供應鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經典器件尋找一個性能更強、供應更穩、價值更高的國產替代方案,已成為驅動產品創新與保障交付安全的核心戰略。面對英飛凌經典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡單的引腳兼容替代,而是一次從基礎參數到系統效能的全面價值躍升。從參數對標到性能飛
    417瀏覽量