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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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BUK7607-55B-VB一種Single-N溝道TO263封裝MOS管

型號: BUK7607-55B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • Package TO263
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 60V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 4mΩ@VGS=10V
  • ID 150A

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### BUK7607-55B-VB MOSFET 產品簡介

BUK7607-55B-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,采用 TO-263 封裝,專為中壓和高電流應用設計。它具有 60V 的漏源電壓(V_DS)和 ±20V 的柵源電壓(V_GS)。該 MOSFET 的閾值電壓(V_th)為 3V,開態(tài)電阻(R_DS(ON))為 4 mΩ(在 V_GS 為 10V 時),能夠承受高達 150A 的連續(xù)漏電流(I_D)。BUK7607-55B-VB 采用溝槽(Trench)技術,以提供卓越的開關性能和高電流處理能力,適用于各種要求高電流和高效率的應用場景。

### 詳細參數說明

1. **封裝**:TO-263
  - 提供了優(yōu)異的散熱性能和較小的封裝尺寸,適合高功率和高密度電路設計。

2. **配置**:單個 N 溝道
  - 適用于高效開關控制,特別是在需要高電流和低電阻的應用中。

3. **V_DS(漏源電壓)**:60V
  - 適用于中壓應用,能夠處理較高的電壓需求。

4. **V_GS(柵源電壓)**:±20V
  - 提供靈活的柵極驅動電壓,適應不同的控制電壓需求。

5. **V_th(閾值電壓)**:3V
  - 在此電壓下,MOSFET 開始導通,確保在低電壓下的穩(wěn)定操作。

6. **R_DS(ON)(開態(tài)電阻)**:4 mΩ @ V_GS = 10V
  - 極低的開態(tài)電阻減少了功耗,并提高了電路的整體效率。

7. **I_D(連續(xù)漏電流)**:150A
  - 高電流處理能力,適用于需要大電流的應用場合。

8. **技術**:溝槽型(Trench)
  - 提供了卓越的開關性能和低導通電阻,適合各種高電流應用。

### 應用實例

**1. 電源管理:**
  - **領域**:開關電源(SMPS)
  - **實例**:在高效開關電源中,BUK7607-55B-VB 能夠處理高電流輸出的電源模塊。其低開態(tài)電阻和高電流承載能力使其在電源管理中表現出色,有助于提升電源的穩(wěn)定性和效率,特別是在高功率密度應用中。

**2. 電動汽車:**
  - **領域**:電池管理系統
  - **實例**:在電動汽車的電池管理系統中,BUK7607-55B-VB 可用于高側開關控制,以保護電池免受過流和過電壓的影響。其高電流處理能力和低開態(tài)電阻確保電池系統的安全和穩(wěn)定運行,提升了整體的可靠性。

**3. 電機驅動:**
  - **領域**:工業(yè)自動化
  - **實例**:在電機驅動電路中,BUK7607-55B-VB 能夠提供高效的開關控制,適合需要大電流的電機負載。其高電流承載能力保證了電機的平穩(wěn)運行,特別是在工業(yè)自動化中的高功率電機控制應用。

**4. 高功率LED驅動:**
  - **領域**:照明系統
  - **實例**:在高功率 LED 驅動電路中,BUK7607-55B-VB 能夠高效驅動 LED 模塊。由于其低開態(tài)電阻,能夠降低功耗并確保 LED 的穩(wěn)定亮度,適合用于要求高功率輸出的 LED 照明系統。

**5. 汽車電子:**
  - **領域**:汽車電源系統
  - **實例**:在汽車電子系統中,BUK7607-55B-VB 可用于電池管理和電機控制。其高電流處理能力和低開態(tài)電阻確保了汽車系統的高效和穩(wěn)定運行,適合高電流和高功率的汽車應用。

總之,BUK7607-55B-VB MOSFET 是一款中壓、高電流處理能力的開關器件,廣泛適用于各種高功率和高效率要求的電子應用。其卓越的開關性能和低導通電阻使其在多種領域中都能發(fā)揮重要作用。

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