--- 產品參數 ---
- Package TO220
- Configurat Single-N-Channel
- VDS 60V
- VGS 20(±V)
- Vth 3V
- RDS(ON) 3mΩ@VGS=10V
- ID 210A
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### BUK754R7-60E-VB MOSFET 產品簡介
#### 產品簡介:
BUK754R7-60E-VB 是一款單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 TO-220。這款 MOSFET 專為高電流和中等電壓應用設計,能夠承受最大 60V 的漏源電壓(VDS)和 ±20V 的柵源電壓(VGS)。其門限電壓(Vth)為 3V,在 VGS = 4.5V 時,導通電阻(RDS(ON))為 9mΩ,而在 VGS = 10V 時,導通電阻降至 3mΩ,支持的連續漏極電流(ID)最高可達 210A。該器件采用 Trench 技術,適用于高效開關應用。
#### 詳細參數:
- **封裝形式**:TO-220
- **配置**:單 N 溝道
- **最大漏源電壓 (VDS)**:60V
- **最大柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **門限電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS = 4.5V
- 3mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**:210A
- **技術**:Trench
#### 應用實例:
1. **汽車電機驅動**:
BUK754R7-60E-VB 非常適合用于汽車電機驅動系統,尤其是在需要高電流的應用中。其高電流承載能力和低導通電阻確保了電機的高效和可靠運行。
2. **電源管理系統**:
在各種電源管理系統中,例如開關電源和 DC-DC 轉換器,BUK754R7-60E-VB 的低導通電阻和高電流能力有助于提高系統的轉換效率,減少能量損耗。
3. **電池管理系統**:
在電池管理應用中,該 MOSFET 可以有效管理電池的充電和放電過程,特別適用于需要高電流的電動汽車和儲能系統。
4. **大功率 LED 驅動器**:
BUK754R7-60E-VB 適用于驅動大功率 LED 燈具。其低導通電阻確保了高效能量傳輸,從而提高了 LED 驅動器的整體效率和性能。
5. **電機控制**:
該 MOSFET 可以在工業和家用電機控制應用中使用,其高電流處理能力確保了電機在高負載下的穩定性和可靠性。
6. **功率開關**:
在需要快速開關和高電流的功率開關應用中,BUK754R7-60E-VB 提供了出色的性能,適用于各類高效能量管理和開關電路。
通過利用 BUK754R7-60E-VB MOSFET 的優良開關性能和高電流承載能力,可以在多個領域中實現高效、可靠的電力控制和管理。
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