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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BUK7208-40B-VB一種Single-N溝道TO252封裝MOS管

型號: BUK7208-40B-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • Package TO252
  • Configurat Single-N-Channel
  • VDS 40V
  • VGS 20(±V)
  • Vth 3V
  • RDS(ON) 1.6mΩ@VGS=10V
  • ID 120A

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### BUK7208-40B-VB 產(chǎn)品簡介

BUK7208-40B-VB是一款高性能單N溝道MOSFET,采用TO252封裝,專為高電流和低電阻應用設(shè)計。這款MOSFET具有40V的漏源電壓(VDS)和±20V的柵源電壓(VGS)。它采用先進的溝槽(Trench)技術(shù),提供極低的導通電阻,在VGS為4.5V時的導通電阻為3mΩ,在VGS為10V時為1.6mΩ,最大漏極電流(ID)達到120A。BUK7208-40B-VB適用于高效電源管理和電機驅(qū)動等需要高電流和低功耗的應用,提供了卓越的開關(guān)性能和可靠性。

### BUK7208-40B-VB 詳細參數(shù)說明

| 參數(shù)             | 值                | 單位 |
|------------------|-------------------|------|
| 封裝類型         | TO252             |      |
| 配置             | 單N溝道           |      |
| 漏源電壓 (VDS)   | 40                | V    |
| 柵源電壓 (VGS)   | ±20               | V    |
| 閾值電壓 (Vth)   | 3.0               | V    |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 3 (VGS=4.5V)     | mΩ   |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 1.6 (VGS=10V)    | mΩ   |
| 最大漏極電流 (ID) | 120               | A    |
| 技術(shù)             | 溝槽(Trench)    |      |

### BUK7208-40B-VB 適用領(lǐng)域和模塊

1. **高效電源開關(guān)(High-Efficiency Power Switching)**:
  BUK7208-40B-VB在高效電源開關(guān)應用中表現(xiàn)出色,特別是在需要低導通電阻和高電流處理的場合。其高達120A的漏極電流能力和極低的導通電阻有助于提高電源系統(tǒng)的效率,減少功率損耗。

2. **電機驅(qū)動(Motor Drives)**:
  在電機驅(qū)動應用中,該MOSFET能夠處理高電流負載,適用于直流電機和無刷電機(BLDC)的驅(qū)動。其高電流能力和低導通電阻確保了電機的平穩(wěn)運行和高效控制。

3. **DC-DC轉(zhuǎn)換器(DC-DC Converters)**:
  BUK7208-40B-VB在DC-DC轉(zhuǎn)換器中可用于高電流和高效轉(zhuǎn)換的應用。其極低的導通電阻有助于提高轉(zhuǎn)換器的效率,減少功率損耗,并增強系統(tǒng)的整體性能。

4. **電池管理系統(tǒng)(Battery Management Systems)**:
  在電池管理系統(tǒng)中,該MOSFET能夠有效控制高電流負載,適用于保護電路和負載開關(guān)。其高電流處理能力和低導通電阻有助于提高電池的使用壽命和系統(tǒng)的穩(wěn)定性。

5. **電源供應模塊(Power Supply Modules)**:
  BUK7208-40B-VB適用于電源供應模塊,尤其是在需要高電流開關(guān)的應用中。其高電流能力和低導通電阻使其能夠有效管理高功率需求,提供穩(wěn)定可靠的性能。

BUK7208-40B-VB以其高電流處理能力和極低的導通電阻,適用于需要高效和穩(wěn)定性能的各種電子應用,為電源管理、電機驅(qū)動和高效開關(guān)應用提供了可靠的解決方案。

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