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深圳市點面線科技有限公司

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AO4485 SOIC-8 絲印4485 P溝道 40V 10A場效應MOS管

型號: AO4485
立即購買

--- 產品參數 ---

  • 類型 1個P溝道
  • 漏源電壓(Vdss) 40V
  • 連續漏極電流(Id) 10A
  • 導通電阻(RDS(o 15mΩ@10V,10A

--- 產品詳情 ---

總體描述

AO4485 采用先進的溝槽技術,可提供出色的導通電阻(RDS (ON)),且柵極電荷低。該器件適用于直流 - 直流轉換器應用。

產品概述

  • 漏源電壓(VDS):-40V
  • 漏極電流(ID):-10A (柵源電壓 VGS = -10V 時)
  • 導通電阻 RDS (ON) < 15mΩ (柵源電壓 VGS = -10V 時)
  • 導通電阻 RDS (ON) < 20mΩ (柵源電壓 VGS = 4.5V 時)

絕對最大額定值(除非另有說明,測試溫度\(T_{A}\) = 25°C )

參數符號10 秒穩態單位
漏源電壓

\(V_{DSS}\)

-40-V(伏特)
柵源電壓 \(T_{A}\) = 25°C

\(V_{GSS}\)

±20-V(伏特)
連續漏極電流 \(T_{A}\) = 25°C \(T_{A}\) = 70°C

\(I_{D}\)

-12 -9-10 -A(安培)
脈沖漏極電流

\(I_{DM}\)

-120-A(安培)
雪崩擊穿電流

\(I_{AR}\)

-28-A(安培)
重復雪崩能量 \(L = 0.3mH\)

\(E_{AR}\)

118-mJ(毫焦)
功耗 \(T_{A}\) = 25°C \(T_{A}\) = 70°C

\(P_{D}\)

3.1 2.01.7 1.1W(瓦特)
結溫與存儲溫度范圍

\(T_{J}\), \(T_{STG}\)

-55 至 150-°C(攝氏度)

熱特性

參數符號典型值最大值單位
最大結到環境熱阻 \(t ≤ 10s\) 穩態

\(R_{θJA}\)

31 5940 75°C/W(攝氏度每瓦特)
最大結到引腳熱阻

\(R_{θJL}\)

1624°C/W(攝氏度每瓦特)

更多型號可咨詢

AO4480  

AO4482  

AO4484  

AO4485  

AO4486  

AO4496  

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