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中科微電半導體
中科微電半導體科技(深圳)有限公司是一家專業功率器件研發和銷售的科技型公司,在臺灣設有研發中心、深圳設有工程團隊和銷售團隊
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中科微電 ZK4030DQ
型號:
ZK4030DQ
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--- 產品參數 ---
N/P
N+P
Vdss(V)
40/-40
ID
30A/-10A
Rds-on
12.5mΩ
Vgs
±20/±20
--- 數據手冊 ---
ZK4030DQ.pdf
--- 產品詳情 ---
詳情請參考規格書
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中科微電ZK30N100G
2025-10-17 10:46
產品型號:ZK30N100G
V DSS:30
V GS (th)_:1.5
典型導通電阻:3.8
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中科微電ZK30N100T
2025-10-17 10:28
產品型號:ZK30N100T
耐壓:280V
輸入邏輯兼容:5V、3.3V
封裝:SOP8
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中科微電ZK2131
2025-10-17 10:10
產品型號:ZK2131
耐壓:280V
輸入邏輯兼容:5V/3.3V
封裝:SOP8
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中科微電MOS管ZK30N100G 30V 90A
2025-10-15 17:55
產品型號:ZK30N100G
BVdss:30V
ID:90A
Typ:3.4
Vgs:±20
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中科微電ZK30N140T 30V 140A
2025-10-15 17:45
產品型號:ZK30N140T
BVdss:30V
ID:140A
Vgs:±20
Typ:1.64
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中科微電mos管ZK60N20DG
2025-09-30 11:20
產品型號:ZK60N20DG
BVdss:60V
ID:20A
Vgs:±20
Typ:27
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中科微電mos管ZK30N100Q
2025-09-30 11:13
產品型號:ZK30N100Q
BVdss:30V
ID:90A
Vgs:±20
Typ:3.6
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中科微電MOS管ZK60N20DS
2025-09-30 10:59
產品型號:ZK60N20DS
BVdss:60V
ID:20A
Vgs:±20
Typ:29
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中科微電ZK60G270G CLIP SGT車規級
2025-09-25 09:30
產品型號:ZK60G270G
封裝:PDFN5x6
批次:2025+
BVDSS:60V
Id:270A
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中科微電ZK100G325TL
2025-09-22 14:17
產品型號:ZK100G325TL
BVdss:100
ID:411
Vgs:±20
電阻:0.98
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MOSFET:電子世界的“開關大師”與技術演進
2025-11-27 15:48
在現代電子設備的核心部件中,金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)無疑是當之無愧的“開關大師”。從智能手機的芯片到新能源汽車的動力控制系統,從光伏逆變器到工業機器人,MOSFET以其高效的開關特性和穩定的控制性能,支撐著整個電子信息產業的運轉。對于電子工程相關專業的學生和行業從業者而言,深入理解MOSFET的技術本質、發展脈絡與應用邏輯,既是夯實專
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ZK3080T:低壓大電流場景下的功率器件標桿
2025-11-25 14:38
在功率電子技術飛速發展的今天,元器件的性能直接決定了電子設備的可靠性、效率與安全性。ZK3080T作為一款在低壓大電流領域表現突出的功率器件,其“30V/80A”的核心參數組合、TO-252封裝設計以及±20%的參數精度控制,使其成為消費電子、汽車電子、工業控制等領域的優選元器件。深入剖析ZK3080T的技術特性、應用價值與使用要點,對于電子工程師優化電路設
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中科微電ZK40N100G:Trench工藝+緊湊封裝,中低壓大電流場景新標桿
2025-11-17 11:19
在功率半導體器件向“高效化、小型化、高可靠性”轉型的趨勢下,中科微電推出的N溝道MOS管ZK40N100G,憑借40V耐壓、90A大電流的硬核參數,搭配Trench(溝槽)工藝與PDFN5x6-8L緊湊封裝,精準破解中低壓場景下“大電流承載、低能耗、小體積”的核心痛點,成為消費電子、工業控制、汽車電子等領域的優選解決方案。本文將從參數解析、技術優勢、場景落地
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低壓大電流新選擇:ZK40N190G MOSFET的技術優勢與應用價值
2025-11-07 17:27
在新能源、工業控制、汽車電子等領域的快速發展中,低壓大電流場景對功率器件的承載能力、散熱性能和可靠性提出了越來越高的要求。ZK40N190G作為一款采用Trench溝槽工藝的N溝道MOSFET,以40V耐壓、190A超大電流承載能力及PDFN5x6-8L封裝優勢,精準匹配低壓大電流功率變換需求,成為眾多高功率密度設備的核心功率器件選擇。
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能量調控的精巧使者:ZK68N80T MOSFET的特性與價值
2025-11-06 16:52
在電力電子系統的精密架構中,MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管)始終占據著核心地位,它們如同能量流轉的“閘門”,精準控制著電流的通斷與強弱。ZK68N80T這款N溝道MOSFET,以其明確的性能標識、優化的封裝設計和先進的制造工藝,成為眾多設備中不可或缺的“能量調控使者”,在方寸之間演繹著高效與可靠的雙重擔當。
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功率器件MOS管中的實干家:ZK100G120B的性能優勢與場景賦能
2025-11-06 16:25
在布滿精密元件的電路板上,功率器件就像“能量調度官”,負責電能的高效傳輸與精準控制。ZK100G120B這款標注著“100V、120A、SGT、TO-263-2L”的器件,沒有華麗的外觀,卻以扎實的參數配置和可靠的性能表現,在中低壓功率場景中占據重要地位。當我們深入解讀它的各項參數密碼,便能發現它成為眾多工程師首選的核心原因。
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中科微電ZK40P80G:小封裝大能量的P溝道MOS管新選擇
2025-11-06 14:49
中科微電推出的ZK40P80G P溝道MOS管,突破性地將-80A大電流、-40V高耐壓與PDFN5x6-8L緊湊封裝相結合,搭配1.5mΩ低導通電阻與成熟Trench工藝,為小型化、高功率密度設備提供了理想的功率解決方案。
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ZK40P80T:P溝道MOS管中的高功率性能擔當
2025-11-06 14:35
中科微電深耕功率器件領域,針對P溝道器件的應用痛點,推出了ZK40P80T這款高性能P溝道MOS管,以-40V耐壓、-80A電流的強勁參數,搭配1.5mΩ低導通電阻與成熟Trench工藝,為反向電壓控制、電池管理等場景提供了高效可靠的解決方案,重新定義了中低壓P溝道MOS管的性能標準。
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中科微電ZK150G002P:高耐壓大電流N溝槽MOS管的性能突破
2025-11-06 13:44
在功率半導體器件的迭代浪潮中,N溝槽MOS管憑借其優異的開關特性與電流控制能力,成為高功率電子系統的核心組成部分。當市場對器件的耐壓等級、電流承載能力提出更高要求時,一款兼具150V高耐壓、200A大電流與3.5毫歐低導通電阻的N溝槽MOS管——ZK150G002P應運而生。它不僅精準契合了新能源、工業控制等領域的嚴苛需求,更以硬核參數彰顯了功率半導體技術的
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ZK40N100G:PDFN封裝賦能的中低壓大電流MOS管標桿
2025-11-05 16:30
在中低壓功率電子系統的設計中,MOS管的電流承載能力、封裝尺寸與能效表現,是決定產品競爭力的核心要素。ZK40N100G作為一款高性能N溝道MOS管,以40V耐壓、90A大電流、PDFN5x6-8L緊湊封裝及Trench工藝加持,精準適配消費電子、新能源、工業控制等領域的大功率需求,成為兼顧“強性能、小體積、高效率”的優選器件,為電路設計突破空間與能效瓶頸提
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中科微電 ZK30G160Q
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