架構優勢

單電源工作

• 全電壓范圍：讀寫操作電壓為 2.7V 至 3.6V

存儲架構

• 統一的 64KB 扇區
  • 頂部或底部保護塊（兩個 64KB 扇區），每個可細分為 16 個 4KB 子扇區
  • 頁大小為 256 字節
  • 與 S25FL032A 器件向后兼容

編程

• 頁編程（最多 256 字節），典型時間為 1.5 毫秒
• 按頁進行編程操作
• 通過 9V 的 W#/ACC 引腳實現加速編程模式
• 四路頁編程

擦除

• 批量擦除功能
• 扇區擦除（SE）命令（D8h）用于擦除 64KB 扇區
• 子扇區擦除（P4E）命令（20h）用于擦除 4KB 子扇區
• 子扇區擦除（P8E）命令（40h）用于擦除 8KB 子扇區

循環耐久性

• 每個扇區典型值為 100,000 次循環

數據保存

• 典型保存時間為 20 年

器件標識

• JEDEC 標準的兩字節電子簽名
• RES 命令的單字節電子簽名，用于向后兼容

一次性可編程（OTP）區域

• 用于永久、安全的身份識別；可在工廠或由客戶進行編程和鎖定

符合通用閃存接口（CFI）標準：主機系統可識別和適配多種閃存器件

工藝技術：采用 0.09 微米 MirrorBit? 工藝技術

封裝選項

• 行業標準引腳
• 8 引腳 SO 封裝（208 密耳）
• 16 引腳 SO 封裝（300 密耳）
• 8 引腳 USON 封裝（5×6 毫米）
• 8 引腳 WSON 封裝（6×6 毫米）
• 24 球 BGA 6×8 毫米封裝，5×5 引腳配置
• 24 球 BGA 6×8 毫米封裝，6×4 引腳配置

性能特點

• 速度
  • 正常讀取（串行）：40MHz 時鐘速率
  • 快速讀取（串行）：104MHz 時鐘速率
  • 雙 I/O 快速讀取：80MHz 時鐘速率，有效數據速率 20MB/s
  • 四路 I/O 快速讀取：80MHz 時鐘速率，有效數據速率 40MB/s
• 功耗
  • 待機模式 80 微安（典型值）
  • 深度掉電模式 3 微安（典型值）

存儲保護特性

• 存儲保護
  • W#/ACC 引腳與狀態寄存器位協同工作
  • 保護指定存儲區域
  • 狀態寄存器中的塊保護位（BP2、BP1、BP0）將部分存儲區域配置為只讀