總體說明
AGM065N10F 將先進的溝槽式 MOSFET 技術(shù)與低電阻封裝相結(jié)合，能夠?qū)崿F(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻 RDS(ON) 。
該器件非常適合用于負(fù)載開關(guān)和電池保護應(yīng)用場景。
特性
- 先進的高單元密度溝槽技術(shù)
- 低導(dǎo)通電阻 RDS(ON)，可將傳導(dǎo)損耗降至最低
- 低柵極電荷，實現(xiàn)快速開關(guān)
- 低熱阻
應(yīng)用
- 內(nèi)存 / 顯卡核心電壓（MB/VGA Vcore）
- 開關(guān)電源（SMPS）二次側(cè)同步整流器
- 負(fù)載點（POL）應(yīng)用
- 無刷直流（BLDC）電機驅(qū)動器
