--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT223
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、BUK583-60A-VB 產品簡介
BUK583-60A-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能單 N 溝道 MOSFET,封裝形式為 SOT223。這款 MOSFET 采用先進的 Trench 技術,具有 60V 的漏源電壓 (VDS) 和 ±20V 的柵源電壓 (VGS) 規格。其在 4.5V 的柵源電壓下,導通電阻為 33mΩ,在 10V 的柵源電壓下,導通電阻進一步降低至 28mΩ。BUK583-60A-VB 支持最大 7A 的連續漏極電流 (ID),適用于高效開關和電源管理的各種應用場景,特別適合對封裝尺寸和性能有較高要求的設計。
### 二、BUK583-60A-VB 詳細參數說明
| 參數 | 值 | 單位 |
|------------------------|--------------------------|--------|
| 產品型號 | BUK583-60A-VB | |
| 封裝 | SOT223 | |
| 配置 | 單 N 溝道 | |
| 漏源電壓 (VDS) | 60 | V |
| 柵源電壓 (VGS) | ±20 | V |
| 閾值電壓 (Vth) | 1.7 | V |
| 導通電阻 (RDS(ON)) | 33 (VGS = 4.5V) | mΩ |
| | 28 (VGS = 10V) | mΩ |
| 柵極電流 (IG) | 100 | nA |
| 連續漏極電流 (ID) | 7 | A |
| 瞬時脈沖漏極電流 (ID(pulse)) | 21 | A |
| 最大功耗 (Ptot) | 25 | W |
| 工作溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
| 存儲溫度范圍 | -55 至 +175 | °C |
| 技術 | Trench | |

### 三、應用領域和模塊示例
BUK583-60A-VB 的高性能和緊湊封裝使其在多個領域表現出色,以下是幾個應用示例:
1. **電源管理**:在開關電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉換器中,BUK583-60A-VB 能夠作為高效開關元件,提供低導通電阻和優良的電源轉換效率。
2. **小型電機控制**:由于其較小的封裝和良好的性能,這款 MOSFET 特別適合用于微型電動機驅動電路,如玩具、家用電器和小型機器人中的電機控制。
3. **電池保護**:在便攜設備和移動電子產品的電池保護電路中,BUK583-60A-VB 能夠有效保護電池免受過流影響,確保設備的安全性和穩定性。
4. **LED 驅動**:在 LED 驅動器和調光器中,這款 MOSFET 的低導通電阻和小封裝尺寸使其能夠提供高效且可靠的開關功能,提升整體照明系統的性能。
這些應用示例展示了 BUK583-60A-VB 在緊湊設計和高效開關應用中的重要作用。
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