### 產品簡介

**BSS192P-VB** 是一款單極性P溝道功率MOSFET，封裝為SOT89。這款MOSFET具有-200V的漏源電壓（VDS），支持最大±20V的柵極源電壓（VGS）。其閾值電壓（Vth）為-3V，導通電阻為900mΩ（VGS=4.5V）和800mΩ（VGS=10V），最大漏電流為-1.8A。MOSFET采用溝槽技術，設計用于高電壓和中等電流的開關應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSS192P-VB
- **封裝**: SOT89
- **配置**: 單極性P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -200V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 900mΩ @ VGS = 4.5V
 - 800mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: -1.8A
- **技術**: 溝槽技術

### 適用領域和模塊

**BSS192P-VB** 功率MOSFET 主要應用于以下領域和模塊：

1. **高電壓開關電路**：在高電壓應用中作為開關元件，處理-200V的漏源電壓，適合電源開關和高電壓控制系統。

2. **電源保護**：用于電源保護電路，如高電壓過壓保護和反向電流保護，確保系統安全和穩定性。

3. **負載開關**：在高電壓負載開關應用中，提供高效的電流控制，適合高電壓設備和工業電源管理。

4. **功率調節和管理**：在功率調節模塊中用于電流控制，適合電源模塊和高電壓調節器，優化系統性能并降低功耗。