--- 產品參數 ---
- 封裝 SOT223
- 溝道 Single-P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
BSP322P-VB是一款高電壓單P溝道MOSFET,采用SOT223封裝,專為高電壓和中電流應用設計。這款MOSFET使用Trench技術,能夠在最高-100V的漏源極電壓下穩定工作,并提供最大-3A的漏極電流。其較低的導通電阻使其在高電壓條件下表現優異,適合用于各種需要高電壓和中等電流的開關和保護應用。
### 詳細參數說明
- **型號**: BSP322P-VB
- **封裝類型**: SOT223
- **配置**: 單P溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: -100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 230mΩ @ VGS=4.5V;200mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: -3A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例
1. **高電壓負載開關**:BSP322P-VB MOSFET特別適用于高電壓負載開關。其高漏源極電壓承受能力(-100V)使其能夠在高電壓環境中可靠地控制負載,適合用于高電壓開關電路和保護應用。
2. **電源反向保護**:在電源保護電路中,這款MOSFET可以用于反向電流保護,防止電源反向連接對電路造成損害。其高電壓耐受能力和較低的導通電阻確保了系統的安全性和穩定性。
3. **高電壓開關電源**:BSP322P-VB MOSFET適合用于高電壓開關電源的設計中。其良好的開關性能和高電壓耐受能力使其在電源管理中表現優異,幫助提高電源系統的整體效率。
4. **電動汽車電源管理**:這款MOSFET可用于電動汽車的電源管理系統中,處理高電壓和中電流負載。其穩定的性能和高電壓耐受能力有助于提高電動汽車電池管理和電源系統的可靠性。
5. **高壓繼電器驅動**:BSP322P-VB MOSFET可用于高壓繼電器的驅動電路中。其高電壓處理能力和穩定的開關性能使其能夠有效控制高電壓負載,提供可靠的繼電器驅動解決方案。
BSP322P-VB憑借其高電壓耐受能力和優異的開關性能,在這些高電壓應用中展現了優異的表現,是高電壓負載開關和保護應用中的理想選擇。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:51
產品型號:P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:48
產品型號:P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:47
產品型號:P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:44
產品型號:P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:42
產品型號:P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:40
產品型號:P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:36
產品型號:P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:31
產品型號:P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:28
產品型號:P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場效應晶體管2025-10-16 15:25
產品型號:P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應鏈保障高性價比功率方案2025-12-01 16:18
-
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應鏈實現高性價比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12