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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSD235C-VB一款Dual-N+P溝道SC70-6的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BSD235C-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 SC70-6
  • 溝道 Dual-N+P

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSD235C-VB是一款雙管N+P溝道MOSFET,封裝形式為SC70-6。該MOSFET支持±20V的漏極-源極耐壓,適用于雙極性電源設(shè)計(jì)。具有1.0V的N溝道門檻電壓和-1.2V的P溝道門檻電壓。該器件采用Trench技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻,適用于各種開(kāi)關(guān)和電源管理應(yīng)用。

### 參數(shù)說(shuō)明

- **型號(hào)**: BSD235C-VB
- **封裝**: SC70-6
- **配置**: 雙管N+P溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: ±20V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**:
 - N溝道: 1.0V
 - P溝道: -1.2V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - N溝道:
   - 2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下: 110mΩ
   - 4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下: 90mΩ
 - P溝道:
   - 2.5V柵極驅(qū)動(dòng)下: 190mΩ
   - 4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下: 155mΩ
- **漏極電流 (ID)**:
 - N溝道: 3.28A
 - P溝道: -2.8A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BSD235C-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊:

1. **電源開(kāi)關(guān)**: 在雙極性電源系統(tǒng)中,用于高效的開(kāi)關(guān)控制,提供低導(dǎo)通電阻以減少功率損耗。
2. **電池管理**: 在電池管理系統(tǒng)中作為高效開(kāi)關(guān)元件,處理雙極性電流流動(dòng),確保電池的安全和高效運(yùn)行。
3. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**: 適用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中,作為開(kāi)關(guān)元件提供穩(wěn)定的電流控制。
4. **信號(hào)開(kāi)關(guān)**: 用于信號(hào)開(kāi)關(guān)應(yīng)用,尤其是在需要雙極性開(kāi)關(guān)的場(chǎng)合,提供低開(kāi)關(guān)損耗和高可靠性。

該MOSFET的雙極性支持和低導(dǎo)通電阻使其在要求高效、穩(wěn)定開(kāi)關(guān)的應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。

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