產(chǎn)品
-
CGHV35400F1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:54
產(chǎn)品型號：CGHV35400F1 操作頻率：2.9 – 3.5 GHz 典型輸出功率：500 W 功率增益：11分貝 典型排水效率：70% 歐姆內(nèi)部匹配：50 -
CGHV35400F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:52
產(chǎn)品型號：CGHV35400F 操作頻率：2.9 – 3.5 GHz 典型輸出功率：500 W 功率增益：11分貝 典型排水效率：70% 歐姆內(nèi)部匹配：50 -
CGHV35150F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-16 16:39
產(chǎn)品型號：CGHV35150F-AMP 額定功率 ：150 W @ TCASE = 85°C 工作頻率：2.9 – 3.5 GHz 瞬態(tài)占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益：13.5 dB @TCASE = 85°C 典型漏極效率：50 % @TCASE = 85°C -
CGHV35150F 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:37
產(chǎn)品型號：CGHV35150F 額定功率：150 W 工作頻率 ：2.9 – 3.5 GHz 瞬態(tài)占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益：13.5 dB 典型漏極效率：50 % -
CGHV35150P高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:35
產(chǎn)品型號：CGHV35150P 額定功率：150 W @ TCASE = 85°C 工作頻率：2.9 – 3.5 GHz 瞬態(tài)占比： 100 μsec – 300 μsec @ 20% 功率增益：13.5 dB 典型漏極效率：50 % -
CGHV31500F1-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-16 16:13
產(chǎn)品型號：CGHV31500F1-AMP 操作頻率：2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率：650 W 功率增益：12分貝 典型排水效率：65% 歐姆內(nèi)部匹配：50 -
CGHV31500F1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:11
產(chǎn)品型號：CGHV31500F1 操作頻率：2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率：650 W 功率增益：12分貝 典型排水效率：65% 歐姆內(nèi)部匹配：50 -
CGHV31500F-AMP氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板2022-06-16 16:09
產(chǎn)品型號：CGHV31500F-AMP 操作頻率：2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率：650 W 功率增益：12分貝 典型排水效率：65% 歐姆內(nèi)部匹配：50 -
CGHV31500F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)2022-06-16 16:07
產(chǎn)品型號：CGHV31500F 操作頻率：2.7 – 3.1 GHz 典型輸出功率：650 W 功率增益：12分貝 典型排水效率：65% 歐姆內(nèi)部匹配：50 -
ADM2582E 信號和電源隔離 RS-485 接口收發(fā)器 ADI品牌2022-06-16 14:24
產(chǎn)品型號：ADM2582E 數(shù)據(jù)速率：16 Mbps 工作電壓：5 V或3.3 V 總線最多支持：256個節(jié)點連接 高共模瞬變抗擾度：>25 kV/μs 工作溫度范圍：−40°C至+85°C