超低電容TVS（瞬態電壓抑制器）陣列DL0522P
DL0522P是一種超低電容TVS（瞬態電壓抑制器）陣列，設計用于在連接到高速數據線時保護敏感半導體元件免受電應力過大的影響。DL0522P 的超低電容（0.35pF典型I/O到I/O）確保了在tc 3.5GHz以上的數據速率下可以忽略信號衰減。固態結構確?？焖賷A緊ESD（靜電放電）、EFT（電快速瞬變）或CDE（電纜放電事件）產生的電過應力瞬變。
■除了超低電容外，DL0522P還提供的浪涌電流能力和的電壓箝位性能。浪涌電流能力（8x20μs）的額定值為5A,箝位電壓低于15V；大約比行業標準高33%。此外，1.9的緊箝位比（VCVRWM）（通常為1A）確保了有害瞬態被快速箝位，并接近電路的正常工作電壓。超緊夾緊比比行業標準高30%，確保了對敏感集成電路的保護。
DL0522P設計用于保護多達兩條數據線。它封裝在符合RoHS/WEEE標準的6引腳DFN中，具有0.55mm（標稱）的極低封裝外形。超低電容、高浪涌能力、緊箝位比和低封裝外形的組合使DL0522P成為當今ESD敏感、空間受限應用的理想選擇。
●特征
ESD保護符合以下要求：
IEC 61000-4-2，±18kV觸點，±30kV空氣
IEC 61000-4-5（閃電）5A（8/20μs）
IEC 61000-4-4（EFT）40A（5/50ns）
緊密的夾緊比V-C/V-RWM確保了的保護
高反向浪涌電流，lPP，容量
低怠速電流將待機功耗降至低
低調的DFN1610-6封裝
為高速線路優化的封裝設計
貫穿設計
保護兩條l/O線
低電容：0.35pF典型值（I/O至I/O）
低工作電壓：5V
固態硅雪崩技術
應用參考：
| D5V0F2U6LP-7 | |
產品類型: | TVS Diodes ESD 抑制器TVS二極管 2-Ch Low Cap TVS Diode Array 0.5pF |
極性: | Unidirectional |
工作電壓: | 5.5 V |
通道數量: | 2 Channel |
端接類型: | SMD/SMT |
產品封裝: | U-DFN1610-6 |
擊穿電壓: | 6 V |
鉗位電壓: | 12 V |
峰值脈沖功耗 (Pppm): | - |
Vesd - 靜電放電電壓觸點: | 15 kV |
Vesd - 靜電放電電壓氣隙: | 15 kV |
Cd - 二極管電容 : | 0.65 pF |
Ipp - 峰值脈沖電流: | 1.5 A |
工作溫度范圍: | - 55 C-+ 150 C |
封裝: | Reel |
封裝: | Cut Tape |
商標: | Diodes Incorporated |
Pd-功率耗散: | 300 mW |
工廠包裝數量: | 3000 |
子類別: | TVS Diodes / ESD Suppression Diodes |
