GTRA214602FC 是 490 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子移動晶體管 (HEMT) 設計用于多標準蜂窩功率放大器應用。 它具有輸入匹配、高效率、以及帶有無耳法蘭的熱增強封裝。
特征
GaN on SiC HEMT 技術
主要：P3dB = 170 W 典型值
峰值：P3dB = 350 W 典型值
典型的脈沖連續波性能：16 μs 脈沖寬度，
10% 占空比，2140 MHz，48 V，Doherty 夾具
增益 = 15 dB @ 49 dBm
效率 = 60% @ 49 dBm
P3dB 時的輸出功率 = 490 W
人體模型 1B 類（根據 ANSI/ESDA/JEDEC
JS-001)
低熱阻
無鉛且符合 RoHS 標準
應用
船用雷達
軍用雷達
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