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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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GTRA184602FC-V1氮化鎵 (GaN)on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

型號: GTRA184602FC-V1

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 技術(shù) GaN on SiC HEMT
  • 輸出功率: 460 W @ P3dB
  • 效率: 62% @ POUT = 49 dBm
  • 增益: 16 dB @ POUT = 49 dBm

--- 產(chǎn)品詳情 ---

GTRA184602FC 是一款 460 瓦 (P3dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT),用于多標(biāo)準(zhǔn)蜂窩功率放大器應(yīng)用程序。 它具有輸入匹配、高效率和熱增強(qiáng)型無耳法蘭包裝。

GTRA184602FC-V1


特征
GaN on SiC HEMT 技術(shù)
輸出功率:460 W @ P3dB
效率:62% @ POUT = 49 dBm
增益:16 dB @ POUT = 49 dBm

 

應(yīng)用
船用雷達(dá)
軍用雷達(dá)

 

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