CGHV40320D-GP4 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

Cree

型號： CGHV40320D-GP4

--- 產品參數 ---

典型小信號增益 4 GHz 時 19 dB
典型功率附加效率 65%
典型 PSAT 320 W
操作電壓 50 伏
操作頻率高達 4 GHz 的

--- 產品詳情 ---

CGHV40320D 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。GaN與硅或砷化鎵相比具有優越的性能；包括更高的擊穿電壓；更高的飽和電子漂移速度；和更高的熱導率。與 Si 和 GaAs 晶體管相比，GaN HEMT 提供更高的功率密度和更寬的帶寬。

特征
4 GHz 時 19 dB 典型小信號增益
65% 的典型功率附加效率
320 W 典型 PSAT
50 伏操作
高擊穿電壓
高達 4 GHz 的操作

應用
寬帶放大器
戰術通訊
衛星通信
工業的; 科學的；和醫療放大器
A類；乙; 適用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；邊緣; CDMA波形

相關型號
CGHV40320D-GP4
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