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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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CGH40035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

型號: CGH40035F-AMP

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 頻率 高達 4 GHz 的操作
  • 增益 2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益
  • 增益 4.0 GHz 時 13 dB 小信號增益
  • PSAT功率 45 W 典型 PSAT
  • PSAT效率 PSAT 60 % 的效率
  • 電壓 28 伏操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

CGH40035F 是無與倫比的;氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CGH40035F;從 28 伏電壓軌運行;提供通用的;適用于各種射頻和微波應(yīng)用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率;高增益和寬帶寬能力;使 CGH40035F 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。該晶體管采用旋入式法蘭封裝。

CGH40035F-AMP

 

特征
高達 4 GHz 的操作
2.0 GHz 時 15 dB 小信號增益
4.0 GHz 時 13 dB 小信號增益
45 W 典型 PSAT
PSAT 60 % 的效率
28 伏操作

 

應(yīng)用
2路私人收音機
寬帶放大器
蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施
測試儀器
A類;乙; 適用于OFDM的線性放大器;W-CDMA;邊緣; CDMA波形

 

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