CPM3-0900-0010A是900 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。第 3 代系列 900 V 碳化硅 MOSFET，用于高性能電力電子設備。通過引入最先進的 SiC MOSFET 技術來擴展其在碳化硅 (SiC) 技術方面的領先地位；業界首個 900 V MOSFET 平臺。針對高頻電力電子應用進行了優化；包括可再生能源逆變器；電動汽車充電系統；三相工業電源；新的 900V 平臺使體積更小；打火機; 和更高效率的下一代電源轉換系統，其成本與基于硅的解決方案相當。
好處
高壓；高溫; 和高耐濕性使太陽能轉換和非車載充電的真正戶外應用成為可能
通過顯著降低開關損耗提高系統效率
減小系統尺寸；重量; 和冷卻要求
提高功率密度
易于并行并與標準柵極驅動設計兼容
特征
在整個工作溫度范圍內至少 900V Vbr
高阻斷電壓和低 RDS(on)
具有低反向恢復電荷 (Qrr) 的快速本征二極管
具有低輸出電容的高速開關
應用
太陽能逆變器
電機驅動
高壓 DC/DC 轉換器
開關模式電源
固態斷路器
非車載充電器
阻斷電壓:900V
電阻：10hR
柵極電荷總數：210nC
輸出電容：360pF
反向恢復電荷：1300nC
反向恢復時間 ：36納秒
最高結溫：175°C
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