CPM3-0650-0045A是650 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。通過推出第三代 650 V 碳化硅 MOSFET 擴(kuò)展了其碳化硅 (SiC) 技術(shù)領(lǐng)先地位；啟用更小；打火機(jī); 在更廣泛的電力系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換。650 V SiC MOSFET 是高性能工業(yè)電源等應(yīng)用的理想選擇；服務(wù)器/電信電源；電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)；儲(chǔ)能系統(tǒng)；不間斷電源；和電池管理系統(tǒng)。
好處
以更低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗提高系統(tǒng)效率
實(shí)現(xiàn)高開關(guān)頻率操作
提高系統(tǒng)級(jí)功率密度
減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求
特征
隨溫度變化的低通態(tài)電阻
低寄生電容
具有超低反向恢復(fù)的快速二極管
高溫操作 (Tj = 175°C)
應(yīng)用
工業(yè)電源
服務(wù)器/電信
電動(dòng)汽車充電系統(tǒng)
儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS)
不間斷電源 (UPS)
電池管理系統(tǒng) (BMS)
阻斷電壓:650V
電阻：45hR
柵極電荷總數(shù)：63nC
輸出電容：100 pF
反向恢復(fù)電荷：247 nC
反向恢復(fù)時(shí)間 ：13納秒
最高結(jié)溫：175°C
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