C3M0350120D為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業內最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經過優化，可用于 UPS 等大功率應用；電機控制和驅動；開關電源；太陽能和儲能系統；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉換器；和更多。基于第三代技術；各種各樣的導通電阻和封裝選項使設計人員能夠為他們的應用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應用創造了更高效率的強大組合。
優點
更高的系統效率
降低冷卻要求
提高功率密度
提高系統開關頻率
特征
C3MTM SiC MOSFET 技術
高阻斷電壓和低導通電阻
低電容的高速開關
具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
無鹵素，符合 RoHS 標準
應用
再生能源
高壓 DC/DC 轉換器
開關模式電源
UPS
漏源電壓:600V
浪涌峰值反向電壓：600V
直流阻斷電壓：600V
非重復峰值正向浪涌電流：9A
功耗：21.4W
工作結溫和存儲溫度:-55to+175?C
相關型號
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