C2M1000170D為1700 V 分立碳化硅 MOSFET。為下一代電源轉(zhuǎn)換提供更快的開(kāi)關(guān)和更高的可靠性。1700 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 可實(shí)現(xiàn)更小、更高效的電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。與基于硅的解決方案相比；碳化硅技術(shù)可提高系統(tǒng)功率密度；更高的開(kāi)關(guān)頻率；較小的設(shè)計(jì)；冷卻器組件；減小電感器等組件的尺寸；電容器；濾波器和變壓器；和總體成本效益。
優(yōu)點(diǎn)
? 降低開(kāi)關(guān)損耗并最大限度地減少柵極振鈴
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開(kāi)關(guān)頻率
特征
? 具有獨(dú)立驅(qū)動(dòng)源引腳的優(yōu)化封裝
? 漏極和源極之間的爬電距離為 8mm
? 高阻斷電壓和低導(dǎo)通電阻
? 低電容的高速開(kāi)關(guān)
? 易于并聯(lián)且易于驅(qū)動(dòng)
? 無(wú)鹵素，符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
應(yīng)用
? 1500V 太陽(yáng)能逆變器
? 開(kāi)關(guān)模式電源
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 脈沖電源應(yīng)用
漏源電壓:1700V
柵極-源極電壓動(dòng)態(tài):-10/+25V
柵極-源極電壓靜態(tài)：-5/+20V
脈沖漏極電流：160A
功耗：520W
工作結(jié)溫和存儲(chǔ)溫度:-40 to+150?C
焊接溫度:260?C
相關(guān)型號(hào)
C2M0045170P C3D06060F
C2M0045170D C3D06060A
C2M1000170J C3D08060G
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C3D02060E C3D10060A
C3D02060F C3D16060D
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C3D03060E C3D02065E
C3D03060F C3D03065E
C3D03060A C3D04065E
C3D04060E C3D04065A
C3D04060F C6D04065E
C3D04060A C6D04065A
C3D06060G C6D06065Q
