HMC455LP3(E)是一款高輸出的IP3 GaAs InGaP異質結雙極性晶體管(HBT)、1?2瓦特MMIC放大器，在1.7至2.5 GHz的頻率下工作。 該放大器僅使用最小數量的外部元件，提供13 dB的增益，在PAE為56%時提供+28 dBm的飽和功率，使用單個+5 Vdc電壓電源。 由于具有+42 dBm的高輸出IP3，再結合1.4:1的低VSWR，因此HMC455LP3(E)成為適合PCS/3G無線基礎設施的理想驅動放大器。 這款線性放大器采用低成本的無引腳3x3 mm QFN表面貼裝封裝(LP3)。 LP3提供裸露基極以實現出色的RF和散熱性能。
輸出IP3： +42 dBm
增益： 13 dB
PAE為56%（Pout為+28 dBm時）
+19 dBm的W-CDMA通道功率（ACP為-45 dBc時）
3x3 mm QFN SMT封裝
應用
多載波系統
GSM、GPRS和EDGE
CDMA和WCDMA
PHS
HMC455LP3ETR HMC455LP3E
