IGBT裝配的集成三項們驅動是英飛凌的6ED003L06，這芯片用的薄膜絕緣晶體技術使六路IGBT橋輸出對像-50V的負瞬間電壓毫無反應（圖7）。

　　電動機驅動的應用要求橋式逆變的和電力與電氣電流感應的IGBT門驅動電隔離。在這個案子里面，絕緣硅基底完全與電路隔離。高電壓預充電電路通過降低輸入電源電壓的dV/dT來減小來自電源的峰值電流，就此來執行一個新的預充電模式。

　　在預充電模式的情形下，你必須切斷配電系統上的有感負荷。在預充電期間，系統電壓上升很慢并且可以控制，使電流上升絕不會超過允許的最大值。當電路電壓接近穩定狀態的時候，預充電就完成了。預充電電路存在就是使電路電壓是工作電壓的90%或95%的時候，終止預充電模式。