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SiC MOSFET在3-kW LLC變換器設計中的優勢2025-03-21 11:25
使用寬帶隙半導體材料(如碳化硅或氮化鎵)制造的電源開關現在在電力變換器中得到了廣泛應用。SiC晶體管的高速開關特性以及低反向恢復電荷,或氮化鎵HEMT的零反向恢復電荷,使設計師能夠制造比基于硅的替代品更小且高效的電力系統。然而,盡管氮化鎵和碳化硅有如此多的優勢,這些開關類型與經過驗證的硅MOSFET或IGBT相比仍顯得有些陌生。FutureElectroni -
Nexperia推出高效耐用的1200 V SiC MOSFET,采用創新X.PAK封裝技術2025-03-20 11:18
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SiC MOSFET與肖特基勢壘二極管的完美結合,提升電力轉換性能2025-03-20 11:16
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Navitas推出全球首款雙向GaN功率IC2025-03-19 11:15
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DSA技術:突破EUV光刻瓶頸的革命性解決方案2025-03-19 11:10
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onsemi推出新一代SiC智能電力模塊,助力降低能耗與系統成本2025-03-18 11:34
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突破200 kHz:電力電子硬件在環(HIL)測試的創新解決方案2025-03-18 11:33
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LEM(萊姆電子)適用于800V三相牽引逆變器的電流傳感器2025-03-17 10:41
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高級技術推動電動車電池制造的變革與可持續發展2025-03-17 10:40
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德州儀器發布超小型微控制器,推動嵌入式技術微型化2025-03-14 11:03