深圳市浮思特科技有限公司文章

• 告別噪音與高溫!美蓓亞(NMB)散熱風扇讓你的設備清爽一夏2025-07-25 09:38

  

  你是否遇到過這種情況，電腦溫度一過40°C就開始卡頓，渲染視頻時風扇轟鳴如拖拉機?散熱不佳不僅影響效率，更讓人心煩意亂!別急，你的散熱救星來了——美蓓亞三美(NMB)06030PB系列散熱風扇!它可能不是市面上最便宜的選擇，但在品質與細節上，它能給你真正的安心。一位深受散熱困擾的用戶體驗后感嘆：“換上NMB風扇那一刻，簡直是從老式風扇秒變渦輪引擎!”01靜音

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• LEM(萊姆) HLSR系列電流傳感器：精確測量的工業利器2025-07-24 09:53

  

  在工業自動化和電力控制領域，傳感器的準確性和可靠性至關重要。我們今天來講講萊姆的HLSR系列傳感器，兼具高精度與高性能的電流傳感器。這款傳感器廣泛應用于各種工業系統，是您實現精準電流測量的理想選擇。01HLSR系列傳感器概述LEMHLSR系列傳感器采用了先進的開環霍爾效應技術，能夠實現對直流、交流和脈沖電流的精確測量。它的設計確保了初級和次級電路之間的電隔離

  測量 電力控制 電流傳感器 762瀏覽量

• 邁瑞迪紅外熱像儀模塊：為智能設備裝上“溫度透視眼”2025-07-23 11:45

  

  在工業檢測、安防監控和智能硬件領域，精準感知溫度分布正成為剛需。傳統熱像儀體積大、功耗高、成本昂貴，嚴重制約嵌入式應用。如何為設備賦予“看透溫度”的能力?今天介紹一塊邁瑞迪SenXor™微型紅外熱像儀模塊以指甲蓋大小的體積、超低功耗和工業級性能，重新定義溫度可視化解決方案!01產品核心價值：讓溫度“看得見”邁瑞迪SenXor™專為解決嵌入式溫度成像痛點而生：

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• 臺積電引領全球半導體制程創新，2納米制程備受關注2025-07-21 10:02

  

  在全球半導體行業中，先進制程技術的競爭愈演愈烈。目前，只有臺積電、三星和英特爾三家公司能夠進入3納米以下的先進制程領域。然而，臺積電憑借其卓越的技術實力，已經在這一領域占據了明顯的領先地位，吸引了眾多大型科技公司的訂單。根據韓國媒體ChosunBiz的報道，臺積電的2納米制程技術將率先應用于蘋果計劃推出的下一代iPhone系列的應用處理器(AP)生產。這一決

  半導體 臺積電 1074瀏覽量

• SiC二極管相比普通二極管有哪些優勢呢?2025-07-21 09:57

  

  在功率電子領域，碳化硅(SiC)技術正逐步取代傳統硅基器件。作為寬禁帶半導體的代表，SiC二極管憑借其物理特性在多方面實現了性能突破。寬禁帶半導體材料碳禁帶寬度(SiC：3.2eVvsSi：1.1eV)帶來的物理特性突破，使碳化硅二極管在功率電子領域展現出革命性優勢。本文從半導體物理層面解析其技術原理。材料特性驅動的根本優勢空間壓縮效應SiC介電擊穿場強(2

  SiC二極管 二極管 寬禁帶半導體 1453瀏覽量

• 集成電路產業迎利好!兩部門聯合發布計量支撐行動方案2025-07-16 10:16

  

  近日，市場監管總局與工業和信息化部聯合發布《計量支撐產業新質生產力發展行動方案》(以下簡稱《方案》)，明確提出將重點支持集成電路等戰略性新興產業，通過突破核心計量技術瓶頸，助力產業高質量發展。這一舉措被視為我國集成電路產業發展的又一重要政策利好。《方案》指出，要針對集成電路產業的實際需求，集中力量解決核心計量技術問題。其中，重點突破扁平化量值傳遞技術，攻克晶

  芯片 集成電路 1292瀏覽量

• 浮思特 | 無刷電機與有刷直流電機的區別是什么，該如何選擇?2025-07-16 10:15

  

  在精密運動控制領域，永磁直流電機因其優于交流電機的可控性，被廣泛應用于需精準調節速度、扭矩或位置的場景。美蓓亞三美有刷直流電機當前主流直流電機分為有刷電機與無刷電機(BLDC)兩大技術路線——前者依賴機械電刷換向，后者則通過電子控制實現磁場切換。盡管二者均基于電磁作用原理，但在實際應用中需根據性能需求權衡選擇。有刷直流電機工作原理有刷電機的核心在于其機械換向

  無刷電機 直流有刷電機 直流電機 運動控制 3506瀏覽量

• 恩智浦推出全新1200 V、20 A碳化硅肖特基二極管，助力工業電源應用高效能量轉換2025-07-15 09:58

  

  近日，知名半導體公司恩智浦(NXP)宣布推出兩款新的1200V、20A碳化硅(SiC)肖特基二極管。這些新產品的推出旨在滿足日益增長的工業電源應用需求，特別是在超低功率損耗整流方面。這一創新不僅將推動各個工業部門的高效能量轉換，還將幫助企業實現更高的能效和更低的運營成本。隨著工業自動化和電動化進程的加速，電源管理的效率變得越來越重要。恩智浦的新型碳化硅肖特基

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• 浮思特 | 高溫高柵壓耦合加速IGBT性能劣化機制與防護2025-07-15 09:57

  

  IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)作為現代電力電子系統的核心開關器件，其長期可靠性直接關系到設備壽命與運行安全。在諸多應力因素中，高柵極電壓(Vge)與工作溫度(Tj)的協同作用，往往成為加速器件內部劣化、引發早期失效的關鍵誘因。本文深入探討該耦合效應背后的物理機制，并基于實驗數據提出緩解策略。柵極電壓與IGBT可靠性基礎IGBT的柵極結構類似于MOSFET，其

  IGBT 開關器件 電壓 2699瀏覽量

• 瑞薩電子推出650伏氮化鎵場效應晶體管，推動高效電源轉換技術2025-07-14 10:17

  

  在電源轉換技術不斷進步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)，專注于滿足數據中心、工業以及電動交通應用對高效能和高密度電源轉換的需求。這三款晶體管支持功率范圍從1千瓦到10千瓦及以上，適用于各種新興的800伏高壓直流拓撲結構。隨著人工智能(AI)、電動汽車(EV)和可再生能源的迅

  晶體管 氮化鎵 瑞薩電子 3323瀏覽量