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上傳了資料 2025-10-15 17:54
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發(fā)布了產(chǎn)品 2025-10-15 17:45
中科微電ZK30N140T 30V 140A
產(chǎn)品型號：ZK30N140T BVdss：30V ID：140A Vgs：±2062瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-15 16:38
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發(fā)布了文章 2025-10-15 11:20
中科微電ZK100G200P：100V大電流MOS管的性能突破與場景革命
在功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化浪潮中，ZK100G200P憑借“性能對標(biāo)進(jìn)口、成本更具優(yōu)勢”的特點，成為打破國際品牌壟斷的關(guān)鍵力量。其100V/205A參數(shù)組合、SGT工藝帶來的高頻低損耗特性。687瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-15 10:24
100V/245A大功率突破！中科微電ZK100G245TL SGT MOS管重塑工業(yè)電源效率
這款產(chǎn)品的推出，標(biāo)志著中科微電在中低壓功率半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)趕超。其“低損耗+高可靠+高性價比”的組合，打破國外品牌在大功率MOS管市場的壟斷，推動工業(yè)、能源等關(guān)鍵領(lǐng)域供應(yīng)鏈自主可控。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)，中科微電MOS管2024年工業(yè)領(lǐng)域滲透率已達(dá)12%，ZK100G245TL正成為光伏逆變器、工業(yè)電源廠商的“首選國產(chǎn)器件”。678瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-14 17:00
大功率場景的能效標(biāo)桿：中科微電MOS管ZK100G325TL技術(shù)解析
中科微電ZK100G325TL以SGT工藝突破損耗瓶頸，用TOLL封裝破解體積與散熱矛盾，通過100V/411A的參數(shù)組合精準(zhǔn)切入工業(yè)驅(qū)動、新能源快充、儲能等核心場景。這款器件不僅展現(xiàn)了中國功率半導(dǎo)體在先進(jìn)工藝與封裝技術(shù)上的突破能力，更以實際應(yīng)用推動著大功率系統(tǒng)的能效升級。隨著國產(chǎn)半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)迭代，此類高性能MOS管將在更多場景實現(xiàn)進(jìn)口替代，為“雙碳”目761瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-14 16:53
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發(fā)布了文章 2025-10-13 17:55
中科微電mos管ZK60N80T：一款高性能Trench MOSFET的技術(shù)解析與應(yīng)用展望
在電力電子領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）作為核心功率器件，其性能直接決定了各類電子設(shè)備的效率、可靠性與小型化水平。ZK60N80T 作為一款采用 Trench（溝槽）工藝的 N 溝道 MOSFET，憑借其精準(zhǔn)的參數(shù)設(shè)計與卓越的性能表現(xiàn)，在工業(yè)控制、新能源、消費電子等領(lǐng)域展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。792瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-11 14:52
普誠PT2432與PT2432C：同系列功率MOS管的場景適配與性能升級
作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的同系列產(chǎn)品，PT2432 與 PT2432C 雖共享核心技術(shù)架構(gòu)，卻在參數(shù)細(xì)節(jié)與場景適配性上形成互補(bǔ)，精準(zhǔn)覆蓋不同功率控制需求。779瀏覽量 -
發(fā)布了文章 2025-10-10 17:51
中科微電ZK60N120G：SGT工藝賦能的高壓大電流MOS管標(biāo)桿
中科微電ZK60N120G是一款專為中大功率場景設(shè)計的N 溝道增強(qiáng)型功率MOS管，其型號編碼精準(zhǔn)勾勒出核心性能邊界：“60” 代表60A連續(xù)漏極電流（ID），可穩(wěn)定承載電機(jī)、電源等重型負(fù)載的持續(xù)電流需求；“120” 指向1200V漏源極擊穿電壓（BVdss），適配220V交流整流后的高壓母線環(huán)境，為電路提供充足的電壓冗余。996瀏覽量
