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• 發(fā)布了文章 2024-10-30 11:59

  德州儀器正式投產氮化鎵功率半導體產品，展現自有制造能力新高度

  

  德州儀器(TexasInstruments,TI)近期在其位于日本會津的工廠正式投產基于氮化鎵(GaN)技術的功率半導體產品，此舉標志著該公司在GaN半導體自有制造能力上的前所未有的四倍增長。這一進展不僅強化了TI在半導體市場的競爭力，也為新一代電子產品的高效能提供了有力的支持。氮化鎵作為硅(Si)的替代材料，因其在能源效率和功率密度方面的顯著優(yōu)勢而受到越來

  功率半導體 德州儀器 氮化鎵

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• 發(fā)布了文章 2024-10-30 11:57

  被動元件：電阻器、電感器和電容器如何在電路中發(fā)揮作用?

  

  在電路中使用三種類型的被動元件：電阻器、電感器和電容器。被動元件意味著這些元件在電壓或電流波動時，其行為變化較小。其他元件被稱為有源元件，對電壓和電流的反應是非線性的。二極管、晶體管和熱電子閥是有源元件的例子。電阻器、電感器和電容器根據用途有不同的樣式和類型。電阻器電阻器阻礙電流的流動，更具體地說，阻礙電流的流動。在此過程中，電阻器會導致電壓下降并散發(fā)熱量。

  功率半導體 電容器 電感器 電阻器

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• 發(fā)布了文章 2024-10-29 10:54

  意法半導體發(fā)布第四代STPower硅碳化物MOSFET技術

  

  意法半導體(STMicroelectronics)近日推出了其第四代STPower硅碳化物(SiC)MOSFET技術，標志著在高效能和高功率密度領域的又一重大進展。新一代MOSFET不僅在電動汽車中具有廣泛應用潛力，也適用于各類高壓和高功率密度的工業(yè)應用。新發(fā)布的MOSFET特別針對電動汽車的牽引逆變器，這是電動汽車動力系統中不可或缺的部分，負責將電池組中的

  MOSFET SiC 半導體

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• 發(fā)布了文章 2024-10-29 10:52

  為什么WBG材料是5G系統未來發(fā)展的關鍵?

  

  電力半導體正在顯著影響下一代網絡的發(fā)展。寬帶隙(WBG)半導體材料在電信系統中的集成正在成為支持和增強5G基礎設施的戰(zhàn)略解決方案。在連接性方面，WBG半導體相較于傳統硅設備具有顯著優(yōu)勢，使其成為先進電信環(huán)境中理想的應用材料。隨著時間推移，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)在5G基礎設施中的重要性不斷上升，這得益于這些材料固有的技術特性，以及在能源效率和熱管理

  5G SiC 半導體

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• 發(fā)布了文章 2024-10-28 11:27

  全球成熟制程晶圓代工產能預計將增長6%

  

  根據TrendForce集邦咨詢的最新調研，預計到2025年，全球成熟制程的晶圓代工產能將增長6%。這一數據不僅反映了當前半導體行業(yè)的趨勢，也揭示了先進制程與成熟制程之間的明顯需求分化。隨著人工智能、5G和高性能計算等新興技術的迅速發(fā)展，半導體市場正在經歷重要的轉型。在先進制程領域，5/4nm和3nm技術的需求持續(xù)旺盛。AI服務器、高性能計算(HPC)芯片以

  半導體 晶圓 芯片

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• 發(fā)布了文章 2024-10-28 11:25

  高壓電池斷開開關的未來：氮化鎵技術能否解決關鍵挑戰(zhàn)?

  

  目前市場上的電動車使用的是400V和800V的電池，標稱電流超過200安培。如果這些高壓和高電流連接到車身或任何導電部件上，可能會導致致命風險。為了防止這種情況的發(fā)生，制造商采用高壓高電流直流接觸器繼電器，將電池的正負極與高壓電路網斷開，如圖1所示。圖1繼電器的挑戰(zhàn)如果使用繼電器為并聯于逆變器的直流鏈路電容充電，則需要預充電電路，該電路的涌入電流取決于電容的

  開關 氮化鎵 高壓電池

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• 發(fā)布了文章 2024-10-25 11:58

  N通道和P通道場效應晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?

  

  晶體管是現代電子電路中至關重要的半導體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先，作為其真空管前身三極管，晶體管可以放大電信號。其次，晶體管可以作為計算機的信息處理和存儲的開關設備。場效應晶體管是控制電流通過電場的半導體器件。晶體管不僅可以放大電信號，還可以作為開關設備。計算機利用晶體管的開關能力進行算術和邏輯運算以及信息存儲。它們使用二進制代碼——以基數2書寫的

  FET p通道 場效應管 晶體管

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• 發(fā)布了文章 2024-10-25 11:53

  Wolfspeed暫停德國SiC晶圓廠建設，德國半導體招商引資再遭重創(chuàng)

  

  近期，美國半導體公司Wolfspeed宣布暫停在德國恩斯多夫(Ensdorf)建設碳化硅(SiC)晶圓廠的計劃，此舉引發(fā)了業(yè)界的廣泛關注。Wolfspeed的決定恰逢英特爾也因營運危機而擱置馬格德堡建廠案，進一步凸顯了當前德國半導體產業(yè)面臨的投資挑戰(zhàn)。Wolfspeed原計劃在德國投資30億歐元，旨在增強其在碳化硅材料領域的生產能力，以滿足電動車和新能源行業(yè)

  SiC Wolfspeed 半導體 場效應管

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• 發(fā)布了文章 2024-10-24 11:13

  2024年全球硅晶圓市場回暖：SEMI預測出貨量將穩(wěn)步增長

  

  近日，半導體行業(yè)協會(SEMI)發(fā)布了其最新的年度硅晶圓出貨量預測報告，展現出全球硅晶圓市場的積極信號。報告指出，經歷了去年的14.3%跌幅后，今年全球硅晶圓出貨量的下跌幅度將顯著收窄，僅下降2.4%。這一趨勢不僅反映出市場的恢復力，還顯示出在人工智能(AI)和先進制程等領域的強勁需求。硅晶圓作為大多數半導體產品的基礎構建材料，扮演著至關重要的角色。半導體本

  SEMI 半導體 硅晶圓

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• 發(fā)布了文章 2024-10-24 11:11

  BiGaN開關在廣泛電源管理中的應用

  

  保護USB端口、為來自不同源的設備切換電路、以及高側負載開關免受浪涌影響，都依賴于雙向電壓阻斷和電流導通。到目前為止，設計人員只能使用兩個N型MOSFET以背靠背的方式連接在共同源極配置中來實現這一目的。這種方法涉及兩個組件，并因導通電阻(RDS(on))、安全工作區(qū)(SOA)及其他特性而受到限制(見圖1)。雙向氮化鎵(BiGaN)開關是一種創(chuàng)新的解決方案，

  GaN MOSFET 電源管理

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