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• 發布了文章 2025-07-14 10:17

  瑞薩電子推出650伏氮化鎵場效應晶體管，推動高效電源轉換技術

  

  在電源轉換技術不斷進步的背景下，瑞薩電子(RenesasElectronics)近日推出了三款新型650伏氮化鎵場效應晶體管(GaNFET)，專注于滿足數據中心、工業以及電動交通應用對高效能和高密度電源轉換的需求。這三款晶體管支持功率范圍從1千瓦到10千瓦及以上，適用于各種新興的800伏高壓直流拓撲結構。隨著人工智能(AI)、電動汽車(EV)和可再生能源的迅

  晶體管 氮化鎵 瑞薩電子

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• 發布了文章 2025-07-14 10:16

  浮思特 | 如何開發高效可靠的人機界面(HMI)：實踐與考量

  

  在復雜設備控制系統的開發中，為不同角色的使用者(如操作員、管理員、維護人員)設計合適的交互界面至關重要，這便是人機界面(HMI)的核心任務。HMI形式多樣，從緊湊的嵌入式LCD屏到大型工業觸摸屏，乃至支持遠程操作的Web或App界面，其設計質量直接影響設備的易用性、效率和安全性。需求定義：成功的基石敏捷開發模式在HMI設計中頗為流行，通過迭代沖刺推進需求、設

  HMI 人機界面 嵌入式

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• 發布了文章 2025-07-11 10:07

  三星電子全力推進2納米制程，力爭在2025年內實現良率70%

  

  根據韓國媒體ChosunBiz的報道，三星電子的晶圓代工事業部正在全力押注其2納米制程技術，目標是在2025年內實現良率提升至70%。這一戰略旨在吸引更多大客戶訂單，進一步鞏固其在半導體市場中的競爭地位。業界普遍認為，目前三星的2納米制程良率仍不足30%。雖然有內部消息稱其初期良率已優于以往的制程技術，但在量產階段，三星能否與國際競爭對手臺積電抗衡仍然是一個

  三星電子 晶圓 芯片

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• 發布了文章 2025-07-11 10:06

  浮思特 | 超越傳統：集成電流傳感器IC的技術解析與應用優勢

  

  在電力電子系統設計中，精確、可靠且緊湊的電流檢測是實現高效控制、系統保護和能源優化的基石。傳統方案(如分流電阻+隔離運放)雖然成熟，但在集成度、隔離性能和抗干擾能力上面臨挑戰。LEM公司的集成電流傳感器IC(CurrentSensorICs)，基于創新的霍爾效應與差分測量技術，為工程師提供了一種革命性的解決方案。什么是集成電流傳感器IC?集成電流傳感器IC是

  IC lem 傳感器IC 電流傳感器

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• 發布了文章 2025-07-10 10:05

  全球半導體市場持續增長 2025年5月銷售額達590億美元

  

  根據美國半導體行業協會(SIA)發布的最新數據，2025年5月全球半導體銷售額達到590億美元，較2024年5月的492億美元增長了19.8%。這一增長趨勢不僅反映了半導體市場的復蘇，也顯示出行業需求的持續上升。SIA總裁兼首席執行官JohnNeuffer表示，5月全球半導體銷售表現強勁。不僅高于4月份的銷售總額，也遠超去年同期的水平。這一銷售增長的背后，反

  人工智能 半導體

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• 發布了文章 2025-07-10 10:03

  浮思特 | (ABOV)現代單片機在現代嵌入式系統中的應用與技術趨勢

  

  當今，微控制器(MCU)已成為最核心的計算技術之一，其存在是所有嵌入式應用的基礎。微控制器提供了無數計算解決方案，有些甚至專為特定應用場景設計，例如電機控制。電機控制應用通常通過組合專用電機控制單元和系統控制單元來實現，兩者均采用微控制器及相關軟件。部分微控制器專為同時控制多臺永磁電機而設計，可應用于空調、洗衣機、洗碗機等設備。此外，工業領域的通用變頻器、不

  單片機 嵌入式系統 微控制器

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• 發布了文章 2025-07-09 09:58

  混合SiC/IGBT逆變器能否成為電動汽車的最優解?

  

  絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和碳化硅(SiC)MOSFET是現代電動汽車牽引系統的核心元件。盡管IGBT以魯棒性和成本效益著稱，但其固有的高開關損耗和較慢開關速度會降低系統效率，尤其在高頻和低負載工況下表現更為明顯。相比之下，基于SiC的逆變器雖具有更低開關損耗和更高效率，但其制造成本較高且依賴先進工藝?；旌蟂iC/IGBT方案旨在融合SiC的高效快速與IG

  IGBT SiC 電動汽車 逆變器

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• 發布了文章 2025-07-08 10:28

  浮思特 | SiC MOSFET 封裝散熱優化與開爾文源極結構

  

  本文探討了近期在碳化硅(SiC)MOSFET器件封裝與設計方面的進展，重點關注頂部冷卻封裝方案及其在提升熱性能、降低開關損耗方面的作用，以及開爾文源極連接結構對高頻應用效率的優化效果。同時分析了新一代SiCMOSFET器件在平衡特定導通電阻(Rsp)與短路耐受時間(SCWT)方面的結構設計思路。PowerMaster擴展了其增強型碳化硅(eSiC)MOSFE

  MOSFET SiC 封裝

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• 發布了文章 2025-07-07 10:33

  臺積電宣布逐步退出氮化鎵晶圓代工業務，力積電接手相關訂單

  

  近日，全球半導體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業務，預計在未來兩年內完成這一過渡。這一決定引起了行業的廣泛關注，尤其是在當前競爭激烈的半導體市場環境中。據供應鏈消息，臺積電退出GaN市場的原因主要與中國大陸市場的低價競爭有關。近年來，隨著氮化鎵技術的成熟和應用需求的增長，許多廠商紛紛進入這一領域，導致價格競爭加劇。面對不斷上

  力積電 臺積電 晶圓 氮化鎵

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• 發布了文章 2025-07-07 10:32

  觸控芯片核心技術解析與選型指南

  

  觸摸控制器芯片是一種電路，它將輸入信號(接觸屏幕表面的手指或物體)轉換為可測量的信號。該信號經過控制器軟件算法的計算和處理，以確定屏幕上的觸摸位置。觸摸屏控制器芯片設計有專用的外設引腳，以便與觸摸傳感器和主機處理器連接。通常，該電路安裝在柔性印刷電路板(FPC)上，該電路板將傳感器連接到主機處理器。觸摸芯片的功能是什么?無論采用何種觸摸技術(無論是電阻式還是

  控制器芯片 觸控芯片 觸摸控制器

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