動態(tài)

• 發(fā)布了文章 2023-11-18 08:11

  MOSFET結(jié)構(gòu)、原理及測試

  

  MOSFET由MOS(MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體)+FET(FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管)這個兩個縮寫組成。即通過給金屬層(M-金屬鋁)的柵極和隔著氧化層(O-絕緣層SiO2)的源極施加電壓，產(chǎn)生電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體(S)導(dǎo)電溝道開關(guān)的場效應(yīng)晶體管。由于柵極與源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕

  漢通達(dá) MOSFET 晶體管 測試

  8.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-11-11 08:11

  科學(xué)家意外發(fā)明新材料，可制造更快的芯片

  

  化學(xué)家們意外地發(fā)明了一種不尋常的新材料，它所制造的半導(dǎo)體可將運算處理速度降低到飛秒（femto-seconds）等級，使下一代計算機變得更快。該材料是由錸、硒和氯組成的分子，稱為Re?Se?Cl?。其發(fā)明者表示，用Re?Se?Cl?制成的計算機芯片傳輸信息的速度是硅基芯片的兩倍。令人驚訝的是，這是因其會減慢而非加快電子的速度。哥倫比亞大學(xué)化學(xué)家杰克?圖利亞格

  漢通達(dá) 半導(dǎo)體 材料 芯片

  1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-11-04 08:11

  芯片行業(yè)，好消息來了

  

  在看完分析師對整個電子市場的判斷以后，我們認(rèn)為，芯片行業(yè)，終于等來了春天。經(jīng)歷了2021年末疫情后的低迷之后，電子設(shè)備的產(chǎn)量終于呈現(xiàn)上升趨勢。根據(jù)IDC的數(shù)據(jù)，2021年第三季度智能手機出貨量與去年同期相比出現(xiàn)負(fù)增長，為-6%。2022年第四季度跌幅觸及-18%的低點。此后，智能手機一直在復(fù)蘇。IDC數(shù)據(jù)尚未公布，但Canalys預(yù)計2023年第三季度智能手

  漢通達(dá) 智能手機 電子設(shè)備 芯片

  1.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-10-28 08:11

  標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體封裝尺寸匯總，你或許用得著...

  

  最早收集行業(yè)數(shù)據(jù)是從大約2015年開始的，當(dāng)時就是為了趕時髦湊熱鬧建了好幾個封測群，一度非常熱鬧。行業(yè)人脈就是從那個時候開始大幅增加的，在群里和行業(yè)朋友交流多了，自然就萌生了收集整理行業(yè)數(shù)據(jù)和信息的念頭。因為是封測群，所以第一步也是從封裝廠和封裝數(shù)據(jù)開始下手的。在一開始整理的數(shù)據(jù)里就有各種標(biāo)準(zhǔn)封裝的尺寸信息。我咨詢了好幾家封裝廠的朋友以后，才湊了一個大概，然

  漢通達(dá) SiP 半導(dǎo)體 封裝

  2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-10-21 08:11

  全球半導(dǎo)體格局悄然生變

  

  過去幾十年來，半導(dǎo)體制造由中國大陸、韓國和中國臺灣三個地區(qū)主導(dǎo)，2021年這三個地區(qū)共計占全球市場的87%。而今，隨著地緣政治的轉(zhuǎn)變，各國或地區(qū)都在尋求降低對單一供應(yīng)鏈的依賴，努力發(fā)展自己的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，確保技術(shù)的獨立性和安全性，全球半導(dǎo)體格局正在被重塑。地緣政治的變化不僅可能影響供應(yīng)鏈、原材料的獲取和產(chǎn)能的分布，還會對全球的科技戰(zhàn)略布局帶來影響。這種轉(zhuǎn)變意味

  漢通達(dá) 半導(dǎo)體 晶圓 芯片

  1.5k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-10-14 08:11

  我國芯片突破！清華大學(xué)全球首枚！

  

  10月10日消息，據(jù)清華大學(xué)公眾號，近日，清華大學(xué)集成電路學(xué)院教授吳華強、副教授高濱基于存算一體計算范式，研制出全球首顆全系統(tǒng)集成的、支持高效片上學(xué)習(xí)（機器學(xué)習(xí)能在硬件端直接完成）的憶阻器存算一體芯片！一枚芯片，集成記憶和計算的能力，保護(hù)用戶隱私的同時還具備類似人腦的自主學(xué)習(xí)，能效相較先進(jìn)工藝下的專用集成電路系統(tǒng)有約75倍提升。這是清華大學(xué)集成電路學(xué)院團(tuán)隊研

  漢通達(dá) 人工智能 機器學(xué)習(xí) 芯片 集成電路

  1.2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-09-23 08:13

  測試程序及測試板開發(fā)注意事項

  

  測試程序及測試板（loadboard）的開發(fā)是測試工程師最主要的工作，作為一個測試新手，你開發(fā)的東西也許在工程階段看不出什么問題，但一旦進(jìn)入大批量生產(chǎn)階段，就有可能會出現(xiàn)諸如測試不穩(wěn)定、測試良率低、經(jīng)常需要維護(hù)等等各種各樣的問題，究其原因，還是各方面考慮的不是很周到引起，如何才能避免這些問題的發(fā)生，接下來給大家推薦一篇業(yè)界資深測試工程師總結(jié)的、在測試開發(fā)中需

  漢通達(dá) 開發(fā) 測試 測試板

  2.1k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-09-08 08:13

  漢通達(dá)攜手VX Instruments針對高性能半導(dǎo)體的測試需求提供解決方案

  

  在測控領(lǐng)域同樣也無時無刻不在融合創(chuàng)新，為我們提供新的技術(shù)和最前沿的科技應(yīng)用。作為老牌的測試測量貿(mào)易、集成商北京漢通

  漢通達(dá) 半導(dǎo)體 測試

  1.2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-09-04 16:26

  封測：TSV研究框架

  

  1后摩爾時代，先進(jìn)封裝成為提升芯片性能重要解法1.1摩爾定律放緩，先進(jìn)封裝日益成為提升芯片性能重要手段隨著摩爾定律放緩，芯片特征尺寸接近物理極限，先進(jìn)封裝成為提升芯片性能，延續(xù)摩爾定律的重要手段。先進(jìn)封裝是指處于前沿的封裝形式和技術(shù)，通過優(yōu)化連接、在同一個封裝內(nèi)集成不同材料、線寬的半導(dǎo)體集成電路和器件等方式，提升集成電路的連接密度和集成度。當(dāng)前全球芯片制程工

  漢通達(dá) TSV 半導(dǎo)體 后摩爾時代 封裝 芯片

  3.2k瀏覽量

• 發(fā)布了文章 2023-08-26 08:12

  MOS管G極與S極之間的電阻作用

  

  MOS管具有三個內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規(guī)格書中可以體現(xiàn)（規(guī)格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內(nèi)部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數(shù)1.MOS管的米勒效應(yīng)MOS管驅(qū)動之理想與現(xiàn)實理想的MOS管驅(qū)動波形應(yīng)是方波，當(dāng)Cg

  漢通達(dá) MOS 電容 電阻 驅(qū)動

  3.9k瀏覽量